KYOTO, Japan, 10. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. gab bekannt, dass sein SiC-MOSFET mit 750 V in einer BBU (Battery Backup Unit) für KI-Server-Netzteile eingesetzt wurde. Mit dem Aufkommen der generativen KI verlagern sich die Stromversorgungssysteme von KI-Servern auf höhere Spannungen und gehen rasch zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) über. In diesem Umfeld wurde das Bauelement von ROHM als SiC-Leistungshalbleiter ausgewählt, der Stromversorgungssysteme der nächsten Generation unterstützt.

Abbildungen: Produktmerkmale

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Da die generative KI eine höhere GPU-Leistung und einen steigenden Stromverbrauch in Rechenzentren vorantreibt, bewegt sich die Branche in Richtung HVDC-Architekturen, um Verluste bei der Stromübertragung zu verringern. In diesen Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten) eine zunehmend wichtige Rolle beim Schutz von Systemen auf Rack-Ebene bei Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen.

Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den „SCT4013DLL", einen SiC-MOSFET mit 750 V, der im Stromversorgungsbereich einer Stromversorgungsarchitektur für KI-Server mit +400 V/−400 V eingesetzt wird. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturtoleranz mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C, was einen stabilen Betrieb selbst in BBUs ermöglicht, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt.

SCT4013DLL: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet/sct4013dll-product 

Bei den 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die Versorgungsspannung für das Batteriepack in der BBU etwa 560 V. Aus diesem Grund können die SiC-MOSFETs von ROHM mit einer Nennspannung von 750 V auch in diesen Systemen eingesetzt werden.

KI-Server-Stromversorgungen der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die hohe Spannungen und große Ströme unmittelbar und mit minimalem Leistungsverlust steuern können. SiC-Leistungshalbleiter werden voraussichtlich eine Schlüsselrolle in diesen Systemen spielen.

Mit Blick auf das anhaltende Wachstum in den Märkten für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und Bereitstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter verstärken. ROHM wird außerdem zu einer höheren Energieeffizienz und zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem das Unternehmen diese Leistungshalbleiter mit analogen ICs und anderen Technologien kombiniert.

Weitere Informationen finden Sie auf der ROHM-Website für SiC-Leistungshalbleiter, darunter „Einfache Suche", Design-Ressourcen und verwandte Inhalte:

Einfache Suche: https://www.rohm.de/products/sic-power-devices/sic-mosfet#easyPartFinder

Dokumente und Artikel zu den SiC-MOSFETs von ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O3-Sa1y2kVk.pdf 

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-03_news_sic-mosfet&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O2-IKMX4af8.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606040358/_prw_PI2fl_365W01aV.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

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Forschende der Universität Zürich (UZH) haben einen Ansatz entwickelt, mit dem sich akuter Schlafmangel im Speichel nachweisen lässt. In einer aktuellen Studie identifizierte das Team um Thomas Krämer vom Institut für Rechtsmedizin eine Art metabolischen Fingerabdruck, der starke Übermüdung zuverlässig anzeigt. Die Resultate wurden im Fachmagazin „Journal of Proteome Research“ veröffentlicht und von Krämer als „Meilenstein für die forensische Forschung“ bezeichnet.

Für die Untersuchung rekrutierten die Wissenschaftler 20 gesunde junge Männer, die normalerweise sieben bis neun Stunden pro Nacht schlafen. Die Probanden durchliefen drei Szenarien: eine Nacht komplett ohne Schlaf, vier Nächte mit jeweils zwei Stunden weniger Schlaf als üblich sowie eine Kontrollbedingung mit rund acht Stunden Schlaf. Nach jeder Phase wurden Speichelproben entnommen und mittels hochauflösender Massenspektrometrie analysiert. Mithilfe von maschinellem Lernen suchte das Team nach molekularen Mustern, die spezifisch auf akuten Schlafentzug hinweisen.

Die Auswertung ergab, dass starke Übermüdung rund zehn Prozent aller Biomoleküle im Speichel beeinflusst. Aus zehntausenden gemessenen Molekülen filterten die Forschenden schließlich zehn spezifische Biomarker heraus, die als Signatur für akuten Schlafmangel dienen könnten. Diese erstmals im Speichel identifizierten direkten Marker für Übermüdung unter alltagsnahen Bedingungen gelten aus Sicht der UZH als Grundlage für neue diagnostische Verfahren.

Langfristig zielt das Projekt auf die Entwicklung eines Schnelltests, der vor Ort eingesetzt werden könnte – etwa im Strassenverkehr, in sicherheitskritischen Berufen oder bei der forensischen Abklärung von Unfällen. Die Forschenden betonen jedoch, dass es sich derzeit um eine Grundlagenstudie mit einer kleinen und homogenen Probandengruppe handelt. Bevor ein solcher Speicheltest in der Praxis Anwendung findet, seien umfangreichere Untersuchungen mit grösseren und vielfältigeren Bevölkerungsgruppen erforderlich.